Datasheet BSS138LT3G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 В, 0.2 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: BSS138LT3G
![]() 35 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23 | |||
BSS138LT3G ON Semiconductor | 1.85 ₽ | ||
BSS138LT3G ON Semiconductor | от 4.77 ₽ | ||
BSS138LT3G ON Semiconductor | от 8.80 ₽ | ||
BSS138LT3G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 В, 0.2 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
BSS138LT1
Preferred Device
Power MOSFET 200 mA, 50 V
N-Channel SOT-23
Typical applications are DC-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 50 В
- On Resistance Rds(on): 5.6 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.75 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 500 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-23
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 225 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)