Datasheet MMBF0201NLT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBF0201NLT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.66 до 10 503 ₽ 53 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 300 мА, 0.75 Ом, SOT-23, Surface Mount
Триема Россия	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	5.00 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 11 ₽	Купить
727GS Весь мир	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 10 503 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	MMBF0201NLT1G Sharp	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBF0201NLT1
Preferred Device
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
N-Channel SOT-23
These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry.

Typical applications are d c -d c c o n v e r t e r s , p o w e r m a n a g e m e n t i n p o r t a b l e a n d battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 300 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.7 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 300 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 225 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть