Datasheet MMBF0201NLT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23 — Даташит

Купить MMBF0201NLT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.27 до 35 ₽ 62 предложений от 23 поставщиков MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23. N-Channel 20V 300mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236). Transistors - FETs, MOSFETs - Single...
Microfind Россия	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 2.27 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 9.80 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 14 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	MMBF0201NLT1G ON Semiconductor	от 22 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBF0201NLT1
Preferred Device
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
N-Channel SOT-23
These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry.

Typical applications are d c -d c c o n v e r t e r s , p o w e r m a n a g e m e n t i n p o r t a b l e a n d battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 300 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.7 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 300 мА
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 225 мВт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть