Datasheet MMBF0201NLT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: MMBF0201NLT1G
Купить MMBF0201NLT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.57 до 30 ₽ 39 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 300 мА, 0.75 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor | 2.57 ₽ | ||
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor | от 3.06 ₽ | ||
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor | 4.82 ₽ | ||
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor | от 27 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N, 20 В, SOT-23
Краткое содержание документа:
MMBF0201NLT1
Preferred Device
Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
N-Channel SOT-23
These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry.
Typical applications are d c -d c c o n v e r t e r s , p o w e r m a n a g e m e n t i n p o r t a b l e a n d battery-powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.7 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 300 мА
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 225 мВт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть