Datasheet MTB30P06VT4G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 30 А, D2-PAK — Даташит

Купить MTB30P06VT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 414 ₽ 13 предложений от 12 поставщиков P-Channel 60 V 30A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
727GS Весь мир	MTB30P06VT4G Rochester Electronics	от 42 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	MTB30P06VT4G Rochester Electronics	76 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	MTB30P06VT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	MTB30P06VT4G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -60 В, 30 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MTB30P06V
Preferred Device
Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts
P-Channel D2PAK
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.6 В

RoHS: есть