Datasheet MTB50P03HDLT4G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 50 А, D2-PAK — Даташит

Купить MTB50P03HDLT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 9.42 до 1 963 ₽ 24 предложений от 16 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
AllElco Electronics Весь мир	MTB50P03HDLT4G ON Semiconductor	101 ₽	Купить
IC Home Весь мир	MTB50P03HDLT4G ON Semiconductor	369 ₽	Купить
Эиком Россия	MTB50P03HDLT4G ON Semiconductor	от 382 ₽	Купить
ЧипСити Россия	MTB50P03HDLT4G ON Semiconductor	549 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -30 В, 50 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MTB50P03HDL
Preferred Device
Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level
P-Channel D2PAK
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 50 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 25 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт

RoHS: Y-Ex