Datasheet MTD6N15T4G - ON Semiconductor Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MTD6N15T4G
![]() 21 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 150V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | 41 ₽ | ||
MTD6N15T4G-VB | 142 ₽ | ||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | от 446 ₽ | ||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK
Краткое содержание документа:
MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
Features
V(BR)DSS 150 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
RoHS: Y-Ex