Datasheet MTD6N15T4G - ON Semiconductor Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK — Даташит

ON Semiconductor MTD6N15T4G

Наименование модели: MTD6N15T4G

Купить MTD6N15T4G на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 421 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков MOSFET N-CH 150V 6A DPAK. N-Channel 150V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs -...
Maybo Весь мир	MTD6N15T4G ON Semiconductor	362 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	MTD6N15T4G ON Semiconductor	по запросу
Lixinc Electronics Весь мир	MTD6N15T4G	по запросу
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	MTD6N15T4G ON Semiconductor	по запросу

Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
Features
V(BR)DSS 150 V

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 6 А
Drain Source Voltage Vds: 150 В
On Resistance Rds(on): 300 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В

RoHS: Y-Ex