Datasheet MTD6N15T4G - ON Semiconductor Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK — Даташит
Наименование модели: MTD6N15T4G
![]() 20 предложений от 13 поставщиков N-Channel 150 V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK | |||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | 42 ₽ | ||
MTD6N15T4G | по запросу | ||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | по запросу | ||
MTD6N15T4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 6 А, D-PAK
Краткое содержание документа:
MTD6N15 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
Features
V(BR)DSS 150 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
RoHS: Y-Ex