Datasheet NTB5605PT4G - ON Semiconductor Даташит P CH полевой транзистор, -60 В, 18.5 А, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: NTB5605PT4G
Купить NTB5605PT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 647 ₽ 24 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 18.5 А, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
NTB5605PT4G MOSFET P-CH 60V 18.5A | 40 ₽ | ||
NTB5605PT4G ON Semiconductor | 54 ₽ | ||
NTB5605PT4G ON Semiconductor | 66 ₽ | ||
NTB5605PT4G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: P CH полевой транзистор, -60 В, 18.5 А, D2-PAK
Краткое содержание документа:
NTB5605P, NTB5605 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
P-Channel, D2PAK
Features http://onsemi.com
V(BR)DSS -60 V RDS(on) TYP 120 mW @ -5.0 V P-Channel D ID MAX -18.5 A
· Designed for Low RDS(on) · Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes · Pb-Free Packages are Available
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current, Id: 18.5 А
- Drain Source Voltage, Vds: 60 В
- On Resistance, Rds(on): 0.14 Ом
- Rds(on) Test Voltage, Vgs: -5 В
- Threshold Voltage, Vgs Typ: -1.5 В
RoHS: есть