Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet NTB5605PT4G - ON Semiconductor Даташит P CH полевой транзистор, -60 В, 18.5 А, D2-PAK — Даташит

Наименование модели: NTB5605PT4G

24 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 18.5 А, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Триема
Россия
NTB5605PT4G MOSFET P-CH 60V 18.5A
40 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
54 ₽
ChipWorker
Весь мир
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
66 ₽
МосЧип
Россия
NTB5605PT4G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: P CH полевой транзистор, -60 В, 18.5 А, D2-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTB5605P, NTB5605 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
P-Channel, D2PAK
Features http://onsemi.com
V(BR)DSS -60 V RDS(on) TYP 120 mW @ -5.0 V P-Channel D ID MAX -18.5 A
· Designed for Low RDS(on) · Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes · Pb-Free Packages are Available

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current, Id: 18.5 А
  • Drain Source Voltage, Vds: 60 В
  • On Resistance, Rds(on): 0.14 Ом
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs: -5 В
  • Threshold Voltage, Vgs Typ: -1.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTB5605PT4G - ON Semiconductor P CH MOSFET, -60 V, 18.5 A, D2-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России