Datasheet NTD25P03LT4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 25 А, D-PAK — Даташит
Наименование модели: NTD25P03LT4G
![]() 35 предложений от 18 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK | |||
NTD25P03LT4G ON Semiconductor | от 1.60 ₽ | ||
NTD25P03LT4G ON Semiconductor | от 16 ₽ | ||
NTD25P03LT4G ON Semiconductor | от 139 ₽ | ||
NTD25P03LT4G ON Semiconductor | от 161 ₽ |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 25 А, D-PAK
Краткое содержание документа:
NTD25P03L Power MOSFET -25 Amp, -30 Volt
Logic Level P-Channel DPAK
Designed for low voltage, high speed switching applications and to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.
The source-to-drain diode recovery time is comparable to a discrete fast recovery diode.
Features http://onsemi.com
V(BR)DSS -30 V RDS(on) Typ 51 mW @ 5.0 V P-Channel D ID Max -25 A
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -25 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.056 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 75 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)