Datasheet NTD2955G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P CH, 60 В, 12 А, D-PAK — Даташит

Купить NTD2955G на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 446 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков MOSFET P-CH 60V 12A DPAK. P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Элитан Россия	NTD2955G ON Semiconductor	51 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTD2955G ON Semiconductor	от 446 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTD2955G	по запросу	Купить
727GS Весь мир	NTD2955G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, P CH, 60 В, 12 А, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTD2955, NTD2955P, NVD2955 Power MOSFET
-60 V, -12 A, P-Channel DPAK
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes.

Designed for low-voltage, high- speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
Features http://onsemi.com
V(BR)DSS -60 V RDS(on) TYP 155 mW @ -10 V, 6 A ID MAX -12 A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -12 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 0.155 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.8 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-252
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 55 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)