Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet NTHD3101FT1G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А — Даташит

ON Semiconductor NTHD3101FT1G

Наименование модели: NTHD3101FT1G

25 предложений от 15 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А
NTHD3101FT1G
ON Semiconductor
5.78 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NTHD3101FT1G
ON Semiconductor
13 ₽
Utmel
Весь мир
NTHD3101FT1G
ON Semiconductor
от 54 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
NTHD3101FT1G
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTHD3101F Power MOSFET and Schottky Diode
Features
-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt
http://onsemi.com MOSFET
V(BR)DSS -20 V RDS(on) TYP 64 mW @ -4.5 V 85 mW @ -2.5 V ID MAX -4.4 A

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 80 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTHD3101FT1G - ON Semiconductor P CHANNEL MOSFET, -20 V, 4.4 A, 1206 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России