Datasheet NTHD3101FT1G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А
Наименование модели: NTHD3101FT1G
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
NTHD3101F Power MOSFET and Schottky Diode
Features
-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt
http://onsemi.com MOSFET
V(BR)DSS -20 V RDS(on) TYP 64 mW @ -4.5 V 85 mW @ -2.5 V ID MAX -4.4 A
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
RoHS: есть
На английском языке: Datasheet NTHD3101FT1G - ON Semiconductor P CHANNEL MOSFET, -20 V, 4.4 A, 1206 A
См. почему JLCPCB так популярна: https://jlcpcb.com
Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.
| Поставщик | Производитель | Наименование | Цена |
|---|---|---|---|
| ЭИК | ON Semiconductor | NTHD3101FT1G | от 6,84 руб. |
| Стандарт СИЗ | ON Semiconductor | NTHD3101FT1G | 7,22 руб. |
| Элитан | ON Semiconductor | NTHD3101FT1G | 8,77 руб. |
| Электродеталь- Поставка | ON Semiconductor | NTHD3101FT1G 1206-8 | по запросу |
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.
Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.
|
Срезы ↓
|
|
|