Datasheet NTHD3101FT1G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А — Даташит
Наименование модели: NTHD3101FT1G
Купить NTHD3101FT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 5.78 до 125 ₽ 25 предложений от 15 поставщиков Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; 20В; -2,3А; Idm: -13А | |||
NTHD3101FT1G ON Semiconductor | 5.78 ₽ | ||
NTHD3101FT1G ON Semiconductor | 13 ₽ | ||
NTHD3101FT1G ON Semiconductor | от 54 ₽ | ||
NTHD3101FT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: P CHANNEL полевой транзистор, -20 В, 4.4 А, 1206 А
Краткое содержание документа:
NTHD3101F Power MOSFET and Schottky Diode
Features
-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt
http://onsemi.com MOSFET
V(BR)DSS -20 V RDS(on) TYP 64 mW @ -4.5 V 85 mW @ -2.5 V ID MAX -4.4 A
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 80 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -450 мВ
RoHS: есть