Datasheet NTMFS4833NT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL — Даташит

Купить NTMFS4833NT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 6 846 ₽ 28 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 26 А, 0.0013 Ом, DFN, Surface Mount
Maybo Весь мир	NTMFS4833NT1G ON Semiconductor	32 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTMFS4833NT1G ON Semiconductor	63 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTMFS4833NT1G	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTMFS4833NT1G ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTMFS4833N Power MOSFET
Features
30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FL
· · · · · · · ·
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 5
• Корпус транзистора: DFN
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)