Datasheet NTMFS4833NT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL — Даташит
![]()
Наименование модели: NTMFS4833NT1G
Купить NTMFS4833NT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 539 ₽20 предложений от 15 поставщиков MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL. N-Channel 30V 16A (Ta), 156A (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL). Transistors... | |||
| NTMFS4833NT1G | 131 ₽ | ||
| NTMFS4833NT1G ON Semiconductor | от 231 ₽ | ||
| NTMFS4833NT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
| NTMFS4833NT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL
Краткое содержание документа:
NTMFS4833N Power MOSFET
Features
30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FL
· · · · · · · ·
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 26 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 5
- Корпус транзистора: DFN
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Купить NTMFS4833NT1G на РадиоЛоцман.Цены




