Datasheet NTP6412ANG - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор транзистор — Даташит
Наименование модели: NTP6412ANG
![]() 44 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
NTP6412ANG ON Semiconductor | от 247 ₽ | ||
NTP6412ANG ON Semiconductor | по запросу | ||
NTP6412ANG | по запросу | ||
NTP6412ANG ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор транзистор
Краткое содержание документа:
NTB6412AN, NTP6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW
Features
· · · ·
Low RDS(on) High Current Capability 100% Avalanche Tested These are Pb-Free Devices
V(BR)DSS Unit V V A 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 58 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 16.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Power Dissipation Pd: 167 Вт
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- MULTICORE (SOLDER) - MM02104
- SPC Technology - 3613