Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet NTD4809NH-1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK — Даташит

ON Semiconductor NTD4809NH-1G

Наименование модели: NTD4809NH-1G

16 предложений от 10 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
ChipWorker
Весь мир
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor
17 ₽
AiPCBA
Весь мир
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor
17 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor
17 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
NTD4809NH-1G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 58 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 9 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 2.1 В
  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 58 А
  • Тип корпуса: IPAK
  • Power Dissipation Pd: 52 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
  • Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

NTD4809NH1G, NTD4809NH 1G

На английском языке: Datasheet NTD4809NH-1G - ON Semiconductor MOSFET, N, 30 V, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России