Datasheet QS5U26TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Купить QS5U26TR на РадиоЛоцман.Цены — от 5.99 до 142 ₽ 23 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Компонентс Ру Россия	QS5U26TR Rohm	от 40 ₽	Купить
ЭИК Россия	QS5U26TR Rohm	от 47 ₽	Купить
727GS Весь мир	QS5U26TR Rohm	от 55 ₽	Купить
ЧипСити Россия	QS5U26TR Rohm	97 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U26
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U26
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 340 МОм
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 325 пФ
• Fall Time tf: 10 нс
• Тип корпуса: TSMT5
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть