Datasheet QS5U27TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Купить QS5U27TR на РадиоЛоцман.Цены — от 6.82 до 54 ₽ 39 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Microfind Россия	QS5U27TR Rohm	14 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	QS5U27TR Rohm	от 48 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	QS5U27-TR Rohm	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	QS5U27--TR Rohm	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U27
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U27
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 340 МОм
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 325 пФ
• Fall Time tf: 10 нс
• Тип корпуса: TSMT5
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
• Power Dissipation Pd: 900 мВт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть