Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet QS5U27TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm QS5U27TR

Наименование модели: QS5U27TR

31 предложений от 15 поставщиков
Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -6A
AllElco Electronics
Весь мир
QS5U27TR
LAPIS Semiconductor
от 7.68 ₽
QS5U27TR
Rohm
от 54 ₽
Триема
Россия
QS5U27TR
142 ₽
Augswan
Весь мир
QS5U27TR
Rohm
по запросу

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U27
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U27
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 340 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 325 пФ
  • Fall Time tf: 10 нс
  • Тип корпуса: TSMT5
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 6 А
  • Rise Time: 10 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: -2 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS5U27TR - Rohm MOSFET, P, VGS -2.5 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка