Datasheet QS5U27TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит
Наименование модели: QS5U27TR
![]() 31 предложений от 15 поставщиков Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -6A | |||
QS5U27TR LAPIS Semiconductor | от 7.68 ₽ | ||
QS5U27TR Rohm | от 54 ₽ | ||
QS5U27TR | 142 ₽ | ||
QS5U27TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В
Краткое содержание документа:
QS5U27
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U27
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 340 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 325 пФ
- Fall Time tf: 10 нс
- Тип корпуса: TSMT5
- Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
- Power Dissipation Pd: 900 мВт
- Pulse Current Idm: 6 А
- Rise Time: 10 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
- Voltage Vgs th Min: -0.7 В
RoHS: есть