Datasheet QS5U33TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -4 В — Даташит
Наименование модели: QS5U33TR
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 2 А, 0.225 Ом, TSMT, Surface Mount | |||
QS5U33TR Rohm | от 46 ₽ | ||
QS5U33TR Rohm | от 53 ₽ | ||
QS5U33TR Rohm | от 53 ₽ | ||
QS5U33TR Rohm | 104 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, VGS -4 В
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 225 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 310 пФ
- Fall Time tf: 6 нс
- Тип корпуса: TSMT5
- Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 8 А
- Rise Time: 6 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: -2.5 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть