AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet QS6U24TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -4 В — Даташит

Rohm QS6U24TR

Наименование модели: QS6U24TR

27 предложений от 13 поставщиков
Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -30V; -1A; Idm: -2A
QS6U24TR
Rohm
от 45 ₽
Триема
Россия
QS6U24TR
142 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
QS6U24TR
по запросу
Augswan
Весь мир
QS6U24TR
Rohm
по запросу

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -4 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6U24
Transistor
4V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U24
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 800 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 90 пФ
  • Fall Time tf: 7 нс
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 2 А
  • Rise Time: 7 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: -2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS6U24TR - Rohm MOSFET, P, VGS -4 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка