Datasheet QS6U24TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -4 В — Даташит

Купить QS6U24TR на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 954 ₽ 25 предложений от 11 поставщиков Compliant Surface Mount 7 ns Lead Free Cut Tape 7 ns 400 mΩ SOT-23-6
T-electron Россия и страны СНГ	QS6U24TR Rohm	13 ₽	Купить
Akcel Весь мир	QS6U24TR Rohm	от 31 ₽	Купить
ЧипСити Россия	QS6U24TR Rohm	176 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	QS6U24TR Rohm	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -4 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6U24
Transistor
4V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U24
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 800 МОм
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 90 пФ
• Fall Time tf: 7 нс
• Тип корпуса: TSMT6
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
• Power Dissipation Pd: 900 мВт
• Pulse Current Idm: 2 А
• Rise Time: 7 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: -2.5 В
• Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть