Datasheet QS6U24TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -4 В — Даташит
Наименование модели: QS6U24TR
Купить QS6U24TR на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 946 ₽ 25 предложений от 11 поставщиков Compliant Surface Mount 7 ns Lead Free Cut Tape 7 ns 400 mΩ SOT-23-6 | |||
QS6U24TR Rohm | 13 ₽ | ||
QS6U24TR Rohm | от 31 ₽ | ||
QS6U24TR | 181 ₽ | ||
QS6U24TR Rohm | от 946 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, VGS -4 В
Краткое содержание документа:
QS6U24
Transistor
4V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U24
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 800 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 90 пФ
- Fall Time tf: 7 нс
- Тип корпуса: TSMT6
- Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
- Power Dissipation Pd: 900 мВт
- Pulse Current Idm: 2 А
- Rise Time: 7 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: -2.5 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть