Datasheet RHP030N03T100 - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 3 А — Даташит
Наименование модели: RHP030N03T100
![]() 34 предложений от 16 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 10A; 2W; MPT3 | |||
RHP030N03T100 LAPIS Semiconductor | от 8.93 ₽ | ||
RHP030N03T100 Rohm | 10 ₽ | ||
RHP030N03T100 Rohm | от 50 ₽ | ||
RHP030N03T100 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 3 А
Краткое содержание документа:
RHP030N03
Transistors
4V Drive Nch MOSFET
RHP030N03
Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 120 МОм
- Корпус транзистора: MPT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 160 пФ
- Fall Time tf: 4.5 нс
- On State resistance @ Vgs = 10V: 120 МОм
- Тип корпуса: MPT3
- Pin Configuration: S(1), G(2), D(3)
- Power Dissipation Pd: 500 мВт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Rise Time: 11 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: Y-Ex