Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet RSQ030P03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 30 В, 3 А — Даташит

Rohm RSQ030P03TR

Наименование модели: RSQ030P03TR

15 предложений от 10 поставщиков
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
AllElco Electronics
Весь мир
RSQ030P03TR
LAPIS Semiconductor
6.79 ₽
Maybo
Весь мир
RSQ030P03TR
Rohm
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
RSQ030P03TR
Rohm
19 ₽
SUV System
Весь мир
RSQ030P03TR
Rohm
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, 30 В, 3 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSQ030P03
Transistor
4V Drive Pch MOS FET
RSQ030P03
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 90 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
  • Pulse Current Idm: 12 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: -2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RSQ030P03TR - Rohm MOSFET, P, 30 V, 3 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка