Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet RSQ030P03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 30 В, 3 А — Даташит

Rohm RSQ030P03TR

Наименование модели: RSQ030P03TR

19 предложений от 11 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
AiPCBA
Весь мир
RSQ030P03TR
Rohm
19 ₽
ЭИК
Россия
RSQ030P03TR
Rohm
от 42 ₽
727GS
Весь мир
RSQ030P03TR
Rohm
от 259 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
RSQ030P03TR
по запросу

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, 30 В, 3 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSQ030P03
Transistor
4V Drive Pch MOS FET
RSQ030P03
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 90 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
  • Pulse Current Idm: 12 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: -2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: -1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RSQ030P03TR - Rohm MOSFET, P, 30 V, 3 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка