Datasheet RSQ035N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 3.5 А — Даташит
Наименование модели: RSQ035N03TR
![]() 18 предложений от 11 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
RSQ035N03TR LAPIS Semiconductor | от 8.00 ₽ | ||
RSQ035N03TR Rohm | 20 ₽ | ||
RSQ035N03TR Rohm | 59 ₽ | ||
RSQ035N03TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 3.5 А
Краткое содержание документа:
RSQ035N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSQ035N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 62 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 290 пФ
- Fall Time tf: 6 нс
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 84 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 62 МОм
- Тип корпуса: TSMT6
- Pin Configuration: D(1+2+5+6), G(3), S(4)
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 14 А
- Rise Time: 9 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть