HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet RSS125N03FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 12.5 А — Даташит

Rohm RSS125N03FU6TB

Наименование модели: RSS125N03FU6TB

13 предложений от 7 поставщиков
Compliant Surface Mount 30 ns 17 ns No SVHC 8.9 mΩ 8.6 mΩ 2.5 V
AiPCBA
Весь мир
RSS125N03FU6TB
66 ₽
ChipWorker
Весь мир
RSS125N03FU6TB
66 ₽
Akcel
Весь мир
RSS125N03FU6TB
Rohm
от 158 ₽
Utmel
Весь мир
RSS125N03FU6TB
Rohm
от 158 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 12.5 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSS125N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSS125N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 6.5 МОм
  • Корпус транзистора: SOP
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 8.6 МОм
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 6.5 МОм
  • Тип корпуса: SOP-8
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 50 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet RSS125N03FU6TB - Rohm MOSFET, N, 30 V, 12.5 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России