HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet RTF025N03TL - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm RTF025N03TL

Наименование модели: RTF025N03TL

27 предложений от 13 поставщиков
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 800mW; TUMT3
T-electron
Россия и страны СНГ
RTF025N03TL
Rohm
14 ₽
AiPCBA
Весь мир
RTF025N03TL
18 ₽
Utmel
Весь мир
RTF025N03TL
Rohm
от 51 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
RTF025N03TL
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RTF025N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTF025N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 98 МОм
  • Корпус транзистора: TUMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
  • Fall Time tf: 11 нс
  • Тип корпуса: TUMT3
  • Pin Configuration: G(1), D(2), S(3)
  • Power Dissipation Pd: 800 мВт
  • Pulse Current Idm: 10 А
  • Rise Time: 15 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RTF025N03TL - Rohm MOSFET, N, VGS -2.5 V

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России