Datasheet RTF025N03TL - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит
Наименование модели: RTF025N03TL
![]() 34 предложений от 17 поставщиков Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 10A; 800mW; TUMT3 | |||
RTF025N03TL Rohm | от 19 ₽ | ||
RTF025N03TL Rohm | от 47 ₽ | ||
RTF025N03TL Rohm | по запросу | ||
RTF025N03TL Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В
Краткое содержание документа:
RTF025N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTF025N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 98 МОм
- Корпус транзистора: TUMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
- Fall Time tf: 11 нс
- Тип корпуса: TUMT3
- Pin Configuration: G(1), D(2), S(3)
- Power Dissipation Pd: 800 мВт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Rise Time: 15 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
- Voltage Vgs th Min: 500 мВ
RoHS: есть