Datasheet RTQ020N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит

Купить RTQ020N03TR на РадиоЛоцман.Цены — от 5.69 до 54 ₽ 35 предложений от 12 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер Россия и страны ТС	RTQ020N03TR Rohm	от 14 ₽	Купить
Эиком Россия	RTQ020N03TR Rohm	от 33 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	RTQ020N03TR Rohm	44 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	RTQ020N03TR Rohm	от 54 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RTQ020N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ020N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 194 МОм
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 135 пФ
• Fall Time tf: 9 нс
• Тип корпуса: TSMT6
• Pin Configuration: D(1+2+5+6), S(4), G(3)
• Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Rise Time: 11 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть