Datasheet RTQ020N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит
Наименование модели: RTQ020N03TR
![]() 28 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 2 А, 0.194 Ом, TSMT, Surface Mount | |||
RTQ020N03TR LAPIS Semiconductor | от 5.54 ₽ | ||
RTQ020N03TR Rohm | от 35 ₽ | ||
RTQ020N03TR | по запросу | ||
RTQ020N03TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В
Краткое содержание документа:
RTQ020N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ020N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 194 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 135 пФ
- Fall Time tf: 9 нс
- Тип корпуса: TSMT6
- Pin Configuration: D(1+2+5+6), S(4), G(3)
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 8 А
- Rise Time: 11 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
- Voltage Vgs th Min: 500 мВ
RoHS: есть