Datasheet RTQ025P02TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, 2.5 А — Даташит
Наименование модели: RTQ025P02TR
![]() 23 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
RTQ025P02TR Rohm | от 18 ₽ | ||
RTQ025P02TR Rohm | от 26 ₽ | ||
RTQ025P02TR Rohm | от 37 ₽ | ||
RTQ025P02TR Rohm | 50 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, 2.5 А
Краткое содержание документа:
RTQ025P02
Transistor
2.5V Drive Pch MOS FET
RTQ025P02
Structure Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low On-resistance.(140m at 2.5V) 2) High Power Package.
3) High speed switching. 4) Low voltage drive.(2.5V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 140 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: TSMT6
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
- Voltage Vgs th Min: -0.7 В
RoHS: есть