Datasheet RTQ035N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 3.5 А — Даташит
Наименование модели: RTQ035N03TR
![]() 23 предложений от 14 поставщиков Одиночные МОП-транзисторы | |||
RTQ035N03TR LAPIS Semiconductor | от 8.47 ₽ | ||
RTQ035N03TR Rohm | 37 ₽ | ||
RTQ035N03TR Rohm | от 58 ₽ | ||
RTQ035N03--TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 3.5 А
Краткое содержание документа:
RTQ035N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ035N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 38 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V: 55 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 38 МОм
- Тип корпуса: TSMT6
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 15 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
- Voltage Vgs th Min: 500 мВ
RoHS: есть