Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet RTQ040P02TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А — Даташит

Rohm RTQ040P02TR

Наименование модели: RTQ040P02TR

12 предложений от 12 поставщиков
P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Maybo
Весь мир
RTQ040P02TR
Rohm
15 ₽
RTQ040P02-TR
Rohm
по запросу
727GS
Весь мир
RTQ040P02TR
Rohm
по запросу
SUV System
Весь мир
RTQ040P02TR
Rohm
по запросу
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RTQ040P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOS FET
RTQ040P02
Structure Silicon P-channel MOS FET

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 85 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Тип корпуса: TSMT6
  • Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
  • Pulse Current Idm: 16 А
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: -2 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet RTQ040P02TR - Rohm MOSFET, P, 20 V, 4 A

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка