Datasheet RTQ040P02TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А — Даташит
Наименование модели: RTQ040P02TR
![]() 15 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, TSMT P-CH 20V 4A | |||
RTQ040P02TR Rohm | 22 ₽ | ||
RTQ040P02TR Rohm | 59 ₽ | ||
RTQ040P02TR | 5 106 ₽ | ||
RTQ040P02TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А
Краткое содержание документа:
RTQ040P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOS FET
RTQ040P02
Structure Silicon P-channel MOS FET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 85 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: TSMT6
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 16 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: -2 В
- Voltage Vgs th Min: -0.7 В
RoHS: есть