Datasheet RTQ040P02TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А — Даташит

Наименование модели: RTQ040P02TR
12 предложений от 12 поставщиков P-Channel 20 V 4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)  | |||
| RTQ040P02TR Rohm  | 15 ₽ | ||
| RTQ040P02-TR Rohm  | по запросу | ||
| RTQ040P02TR Rohm  | по запросу | ||
| RTQ040P02TR Rohm  | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, 4 А
Краткое содержание документа:
RTQ040P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOS FET
RTQ040P02
Structure Silicon P-channel MOS FET
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
 - Continuous Drain Current Id: 4 А
 - Drain Source Voltage Vds: 20 В
 - On State Resistance: 85 МОм
 - Корпус транзистора: TSMT
 - SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
 - Тип корпуса: TSMT6
 - Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
 - Pulse Current Idm: 16 А
 - Способ монтажа: SMD
 - Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
 - Тип транзистора: Enhancement
 - Voltage Vds Typ: -20 В
 - Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
 - Voltage Vgs th Max: -2 В
 - Voltage Vgs th Min: -0.7 В
 
RoHS: есть






