Datasheet US5U3TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS=-2.5V — Даташит

Купить US5U3TR на РадиоЛоцман.Цены — от 6.78 до 1 989 ₽ 14 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	US5U3TR Rohm	20 ₽	Купить
ЧипСити Россия	US5U3TR Rohm	75 ₽	Купить
Augswan Весь мир	US5U3TR Rohm	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	US5U3TR Rohm	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS=-2.5V

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
US5U3
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U3
Structure Silicon N-channel MOSFET / Schottky barrier diode Dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 340 МОм
• Корпус транзистора: TUMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 80 пФ
• Fall Time tf: 6 нс
• Тип корпуса: TUMT5
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
• Power Dissipation Pd: 700 мВт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Rise Time: 9 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть