Datasheet US5U3TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS=-2.5V — Даташит

Наименование модели: US5U3TR
Купить US5U3TR на РадиоЛоцман.Цены — от 6.73 до 76 ₽17 предложений от 10 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
| US5U3TR LAPIS Semiconductor | от 6.73 ₽ | ||
| US5U3TR Rohm | 20 ₽ | ||
| US5U3TR Rohm | от 44 ₽ | ||
| US5U3TR Rohm | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, VGS=-2.5V
Краткое содержание документа:
US5U3
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U3
Structure Silicon N-channel MOSFET / Schottky barrier diode Dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 340 МОм
- Корпус транзистора: TUMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 80 пФ
- Fall Time tf: 6 нс
- Тип корпуса: TUMT5
- Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
- Power Dissipation Pd: 700 мВт
- Pulse Current Idm: 6 А
- Rise Time: 9 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Тип транзистора: Protected MOSFET
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
- Voltage Vgs th Min: 500 мВ
RoHS: есть

Купить US5U3TR на РадиоЛоцман.Цены




