Datasheet NTMD6P02R2G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, P, 20 В, SOIC-8 — Даташит
Наименование модели: NTMD6P02R2G
![]() 35 предложений от 17 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,7А; 2Вт; SO8 | |||
NTMD6P02R2G ON Semiconductor | 29 ₽ | ||
NTMD6P02R2G ON Semiconductor | 88 ₽ | ||
NTMD6P02R2G | 142 ₽ | ||
NTMD6P02R2G Texas Instruments | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Полевой транзистор, P, 20 В, SOIC-8
Спецификации:
- Полярность транзистора: P
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
- Корпус транзистора: SOIC
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Continuous Drain Current Id: 7.8 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -0.88 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть