Datasheet QS5U13TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В — Даташит

Купить QS5U13TR на РадиоЛоцман.Цены — от 6.37 до 142 ₽ 24 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET + Schottky; полевой; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт
AllElco Electronics Весь мир	QS5U13TR LAPIS Semiconductor	от 6.37 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	QS5U13TR Rohm	от 52 ₽	Купить
ЭИК Россия	QS5U13TR Rohm	от 55 ₽	Купить
Augswan Весь мир	QS5U13TR Rohm	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U13
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET
QS5U13
Structure Silicon N-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 154 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 175 пФ
• Current Id Max: 2 А
• Fall Time tf: 8 нс
• Тип корпуса: TSMT5
• Pin Configuration: 1(A), 2(S), 3(G), 4(D)
• Power Dissipation Pd: 700 мВт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В
• Voltage Vgs th Min: 500 мВ

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A