Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet QS5U28TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Rohm QS5U28TR

Наименование модели: QS5U28TR

37 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ChipWorker
Весь мир
QS5U28TR
Rohm
9.03 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
QS5U28TR
Rohm
от 19 ₽
727GS
Весь мир
QS5U28TR
Rohm
от 684 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
QS5U28TR
Rohm
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS5U28
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U28
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 245 МОм
  • Корпус транзистора: TSMT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 450 пФ
  • Fall Time tf: 15 нс
  • Тип корпуса: TSMT5
  • Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 8 А
  • Rise Time: 16 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: -20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Max: -2 В
  • Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet QS5U28TR - Rohm MOSFET, P, VGS -2.5 V

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка