Datasheet QS6U22TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В — Даташит

Купить QS6U22TR на РадиоЛоцман.Цены — от 5.85 до 1 835 ₽ 22 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 1.5 А, 0.43 Ом, TSMT, Surface Mount
AllElco Electronics Весь мир	QS6U22TR LAPIS Semiconductor	5.85 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	QS6U22TR Rohm	от 29 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	QS6U22TR Rohm	от 43 ₽	Купить
Элитан Россия	QS6U22TR Rohm	199 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
QS6U22
Transistors
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U22
Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 430 МОм
• Корпус транзистора: TSMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 270 пФ
• Fall Time tf: 20 нс
• Тип корпуса: TSMT6
• Pin Configuration: 1(G), 2(S), 3(A), 4(K), 5(D)
• Power Dissipation Pd: 900 мВт
• Pulse Current Idm: 6 А
• Rise Time: 12 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.5 В
• Voltage Vgs th Max: -2 В
• Voltage Vgs th Min: -0.7 В

RoHS: есть