Datasheet RHP020N06T100 - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, 2.5 А — Даташит

Купить RHP020N06T100 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.50 до 59 ₽ 34 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Microfind Россия	RHP020N06T100 Rohm	14 ₽	Купить
Эиком Россия	RHP020N06T100 Rohm	от 49 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	RHP020N06T100 Rohm	от 49 ₽	Купить
Элитан Россия	RHP020N06T100 Rohm	52 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 2.5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RHP020N06
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RHP020N06
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 340 МОм
• Корпус транзистора: MPT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 140 пФ
• Fall Time tf: 18 нс
• Тип корпуса: MPT3
• Power Dissipation Pd: 500 мВт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex