Datasheet RHP020N06T100 - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, 2.5 А — Даташит

Купить RHP020N06T100 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.75 до 142 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
ChipWorker Весь мир	RHP020N06T100 Rohm	8.32 ₽	Купить
ЭИК Россия	RHP020N06T100 Rohm	от 51 ₽	Купить
Триема Россия	RHP020N06T100	142 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	RHP020N06T100 Rohm	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 2.5 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RHP020N06
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RHP020N06
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 340 МОм
• Корпус транзистора: MPT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 140 пФ
• Fall Time tf: 18 нс
• Тип корпуса: MPT3
• Power Dissipation Pd: 500 мВт
• Pulse Current Idm: 8 А
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Тип транзистора: Protected MOSFET
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: Y-Ex