Datasheet RSQ025P03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, P, 30 В, 2.5 А — Даташит
Наименование модели: RSQ025P03TR
![]() 23 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 6Pin TSMT T/R | |||
RSQ025P03TR Rohm | от 19 ₽ | ||
RSQ025P03TR Rohm | 23 ₽ | ||
RSQ025P03TR Rohm | по запросу | ||
RSQ025P03TR Rohm | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, P, 30 В, 2.5 А
Краткое содержание документа:
RSQ025P03
Transistor
4V Drive Pch MOS FET
RSQ025P03
Structure Silicon P-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 120 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Тип корпуса: TSMT6
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 10 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -2.5 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: -30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
- Voltage Vgs th Max: -2.5 В
- Voltage Vgs th Min: -1 В
RoHS: есть