Datasheet RSQ045N03TR - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 4.5 А — Даташит
Наименование модели: RSQ045N03TR
![]() 14 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 | |||
RSQ045N03TR LAPIS Semiconductor | от 8.39 ₽ | ||
RSQ045N03TR | по запросу | ||
RSQ045N03TR Rohm | по запросу | ||
RSQ045N03TR | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Rohm
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 4.5 А
Краткое содержание документа:
RSQ045N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSQ045N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 38 МОм
- Корпус транзистора: TSMT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 520 пФ
- Fall Time tf: 14 нс
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 51 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 38 МОм
- Тип корпуса: TSMT6
- Pin Configuration: D(1+2+5+6), G(3), S(4)
- Power Dissipation Pd: 1.25 Вт
- Pulse Current Idm: 18 А
- Rise Time: 19 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть