Datasheet 2N7002 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: 2N7002
![]() 96 предложений от 41 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 60Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,115Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 1000Емкость, пФ:... | |||
2N7002 | от 0.47 ₽ | ||
2N7002 (HXY) | 0.60 ₽ | ||
2N7002 | от 2.00 ₽ | ||
2N7002-MTF Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
2N7000 2N7002
N-CHANNEL 60V - 1.8 - 0.35A SOT23-3L - TO-92 STripFETTMII MOSFET
Table 1: General Features
TYPE 2N7000 2N7002 VDSS 60 V 60 V RDS(on) < 5 (@ 10V) < 5 (@ 10V) Id 0.35 A 0.20 A
3 2 1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 7.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 18 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 200 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 360 мВт
- Pulse Current Idm: 800 мА
- SMD Marking: 72
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.1 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3 В
RoHS: есть