Datasheet STB10NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А D2PAK — Даташит

Купить STB10NK60ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 382 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 600V - 0.65Ω - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
Элитан Россия	STB10NK60ZT4 STMicroelectronics	244 ₽	Купить
Maybo Весь мир	STB10NK60ZT4 STMicroelectronics	290 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STB10NK60ZT4 STMicroelectronics	372 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB10NK60ZT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB10NK60Z, STP10NK60Z STW10NK60Z
N-channel 650 V, 0.65 , 10 A, SuperMESHTM Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STB10NK60Z-1 STB10NK60Z STP10NK60Z STP10NK60ZFP STW10NK60Z
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 650 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 10 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 115 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть