Datasheet STB11NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 10 А, D2PAK — Даташит

Купить STB11NK50ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 390 ₽ 42 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 4.5 А, 0.48 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ЧипСити Россия	STB11NK50ZT4 STMicroelectronics	139 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	STB11NK50ZT4 STMicroelectronics	от 274 ₽	Купить
Augswan Весь мир	STB11NK50ZT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	STB11NK50ZT4ST STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 10 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NK50Z - STP11NK50ZFP STP11NK50Z
N-channel 500 V, 0.48 , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB11NK50Z STP11NK50ZFP STP11NK50Z
VDSS 500 V 500 V 500 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 480 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 10 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть