Datasheet STMicroelectronics STB11NM60T4 — Даташит
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | STB11NM60T4 |
| Модель | STB11NM60T4 |
N-канальный, 600 В, тип 0,4 Ом, MOSFET-транзистор мощностью 11 мА в корпусе D2PAK
Datasheets
Datasheet STB11NM60T4, STP11NM60
PDF, 639 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 21
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
N-channel 600 V, 0.4 Ω typ., 11 A, MDmesh II Power MOSFETs in D²PAK and TO-220
Выписка из документа
 Купить STB11NM60T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 68 до 345 ₽20 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK. N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| STB11NM60T4 STMicroelectronics | 131 ₽ | ||
| STB11NM60T4 STMicroelectronics | 173 ₽ | ||
| STB11NM60T4 STMicroelectronics | по запросу | ||
| STB11NM60T4 STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства являются N-канальными Power MOSFET, разработанными с использованием технологии MDmesh второго поколения.
Эти революционные силовые полевые МОП-транзисторы связывают вертикальную структуру с макетом полосы компании, обеспечивая один из самых низких в мире сопротивлений и заряда затвора. Поэтому они подходят для самых требовательных высокопроизводительных преобразователей.
Особенности:
- 100% лавина проверена
- Низкое входное сопротивление затвора
- Низкая входная емкость и заряд затвора
Статус
| Статус продукта | NRND (Не рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | D2PAK |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- Power Transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 350 V to 700 V
