Datasheet STB11NM80T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK — Даташит

Купить STB11NM80T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 832 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 800V - 0.35Ω - 11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDMESH MOSFET
AiPCBA Весь мир	STB11NM80T4 STMicroelectronics	91 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STB11NM80T4 STMicroelectronics	от 358 ₽	Купить
IC Home Весь мир	STB11NM80T4 STMicroelectronics	678 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STB11NM80T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 150 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 44 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть