Datasheet STB11NM80T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK — Даташит

Купить STB11NM80T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 1 089 ₽ 35 предложений от 20 поставщиков MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK. N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Зенер Россия и страны ТС	STB11NM80T4 STMicroelectronics	от 677 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB11NM80T4	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SPB17N80C3 (ST-STB11NM80T4)	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	STB11NM80T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 350 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 150 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 44 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть