Datasheet STB11NM80T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB11NM80T4
Купить STB11NM80T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 60 до 1 143 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 44А; 150Вт; D2PAK | |||
STB11NM80T4 STMicroelectronics | 60 ₽ | ||
STB11NM80T4 STMicroelectronics | 104 ₽ | ||
STB11NM80T4 STMicroelectronics | 104 ₽ | ||
STB11NM80T4 STMicroelectronics | от 1 143 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 350 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 44 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть