Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet STB120NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SMD, D2-PAK — Даташит

STMicroelectronics STB120NF10T4

Наименование модели: STB120NF10T4

30 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK
STB120NF10T4
STMicroelectronics
30 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB120NF10T4
STMicroelectronics
63 ₽
Utmel
Весь мир
STB120NF10T4
STMicroelectronics
от 93 ₽
Vess Electronics
Весь мир
STB120NF10T4
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, D2-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP120NF10 - STB120NF10 STW120NF10
N-channel 100V - 0.009 - 110A - TO-247 - TO-220 - DІPAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STW120NF10 STP120NF10 STB120NF10
VDSS 100V 100V 100V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 110 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 10.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 312 Вт
  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 110 А
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5 МОм
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Not RoHS Compliant No

На английском языке: Datasheet STB120NF10T4 - STMicroelectronics MOSFET, N, SMD, D2-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России