Datasheet STB120NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SMD, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: STB120NF10T4
Купить STB120NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 819 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK | |||
STB120NF10T4 STMicroelectronics | 30 ₽ | ||
STB120NF10T4 STMicroelectronics | 63 ₽ | ||
STB120NF10T4 STMicroelectronics | от 93 ₽ | ||
STB120NF10T4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, SMD, D2-PAK
Краткое содержание документа:
STP120NF10 - STB120NF10 STW120NF10
N-channel 100V - 0.009 - 110A - TO-247 - TO-220 - DІPAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STW120NF10 STP120NF10 STB120NF10
VDSS 100V 100V 100V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 110 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 10.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 312 Вт
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 110 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5 МОм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: No