Datasheet STB12NK80ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 10.5 А D2PAK — Даташит

Купить STB12NK80ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 79 до 700 ₽ 29 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 5.25 А, 0.65 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron Россия и страны СНГ	STB12NK80ZT4 STMicroelectronics	131 ₽	Купить
ЭИК Россия	STB12NK80ZT4 STMicroelectronics	299 ₽	Купить
Элитан Россия	STB12NK80ZT4 STMicroelectronics	452 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	STB12NK80ZT4 STMicroelectronics	от 700 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 10.5 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NK80Z STP12NK80Z - STW12NK80Z
N-channel 800V - 0.65 - 10.5A - TO-220 - D2PAK - TO-247 Zener - Protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB12NK80Z STP12NK80Z STW12NK80Z
VDSS RDS(on) (@Tjmax) 800V 800V 800V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.25 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 650 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 10.5 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 190 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть