Datasheet STB12NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить STB12NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 50 до 420 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков Description - https://www.st.com/content/st_com/en/products/power-transistors/power-mosfets/n-channel-mdmesh-gt350-v-to-700-v/stb12nm50.html. Датакод - 1050
ChipWorker Весь мир	STB12NM50N STMicroelectronics	90 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STB12NM50N STMicroelectronics	199 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB12NM50N STMicroelectronics	420 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STB12NM50N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM50N - STD12NM50N STF12NM50N - STP12NM50N
N-channel 500V - 0.29 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50N STD12NM50N STF12NM50N STP12NM50N
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On State Resistance: 380 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 350mJ
• Capacitance Ciss Typ: 880 пФ
• Current Iar: 5 А
• Current Id Max: 11 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• On State resistance @ Vgs = 10V: 380 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Pulse Current Idm: 44 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 15V/ns
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5