Datasheet STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 14 А, D2PAK — Даташит

Купить STB14NK50ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 58 до 444 ₽ 46 предложений от 26 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 7,6А; Idm: 48А; 150Вт; D2PAK
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STB14NK50ZT4 SMD STMicroelectronics	106 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	STB14NK50ZT4 STMicroelectronics	от 191 ₽	Купить
Берёзка Электронные Компоненты Россия	STB14NK50ZT4 STMicroelectronics	от 193 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	STB14NK50ZT4 STMicroelectronics	от 444 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 14 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP14NK50Z - STP14NK50ZFP STB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50Z
N-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STP14NK50Z STP14NK50ZFP STB14NK50Z STB14NK50Z-1 STW14NK50Z
VDSS 500V 500V 500V 500V 500V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 340 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Рассеиваемая мощность: 150 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 14 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть