Datasheet STB14NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 14 А, D2PAK — Даташит

Наименование модели: STB14NK50ZT4
Купить STB14NK50ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 390 ₽49 предложений от 25 поставщиков MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK. N-Channel 500V 14A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STB14NK50ZT4 SMD STMicroelectronics | 106 ₽ | ||
| STB14NK50ZT4 STMicroelectronics | 136 ₽ | ||
| STB14NK50ZT4 STMicroelectronics | от 222 ₽ | ||
| STB14NK50ZT4 STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 14 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STP14NK50Z - STP14NK50ZFP STB14NK50Z-STB14NK50Z-1-STW14NK50Z
N-channel 500V - 0.34 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STP14NK50Z STP14NK50ZFP STB14NK50Z STB14NK50Z-1 STW14NK50Z
VDSS 500V 500V 500V 500V 500V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 340 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Рассеиваемая мощность: 150 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 14 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть

Купить STB14NK50ZT4 на РадиоЛоцман.Цены




