Datasheet STB14NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить STB14NK60ZT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 540 ₽ 34 предложений от 18 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 600V - 0.45Ω - 13.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
727GS Весь мир	STB14NK60ZT4 STMicroelectronics	от 39 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STB14NK60ZT4 STMicroelectronics	от 176 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	STB14NK60ZT4 STMicroelectronics	от 478 ₽	Купить
Augswan Весь мир	STB14NK60ZT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM50N - STD12NM50N STF12NM50N - STP12NM50N
N-channel 500V - 0.29 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50N STD12NM50N STF12NM50N STP12NM50N
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 500 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 300mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2220 пФ
• Current Iar: 12 А
• Current Id Max: 13.5 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• On State resistance @ Vgs = 10V: 500 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Pulse Current Idm: 54 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5