Datasheet STB150NF55T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 55 В 120 А D2PAK — Даташит

Наименование модели: STB150NF55T4
Купить STB150NF55T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 921 ₽22 предложений от 19 поставщиков MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK. N-Channel 55V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| STB150NF55T4 STMicroelectronics | от 64 ₽ | ||
| STB150NF55T4 STMicroelectronics | 136 ₽ | ||
| STB150NF55T4 STMicroelectronics | 318 ₽ | ||
| STB150NF55T4 STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 55 В 120 А D2PAK
Краткое содержание документа:
STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55
N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB150NF55 STP150NF55 STW150NF55 VDSS 55V 55V 55V RDS(on) <0.006 <0.006 <0.006 ID 120A(1) 120A(1) 120A(1) TO-220
1 2 3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 120 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 300 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 55 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть

Купить STB150NF55T4 на РадиоЛоцман.Цены




