Datasheet STB160N75F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB160N75F3
![]() 35 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 120А; Idm: 480А; 330Вт; D2PAK | |||
STB160N75F3 STMicroelectronics | от 88 ₽ | ||
STB160N75F3 STMicroelectronics | от 223 ₽ | ||
STB160N75F3 STMicroelectronics | 2 812 ₽ | ||
STB160N75F3 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB160N75F3 STP160N75F3 - STW160N75F3
N-channel 75V - 3.5m - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAK STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STB160N75F3 STP160N75F3 STW160N75F3 VDSS 75V 75V 75V RDS(on) (max.) 3.7 m 4 m 4 m ID 120 A(1)
1 3 2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Рассеиваемая мощность: 330 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
- Current Id Max: 120 А
- Тип корпуса: D2-PAK
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 75 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть