Datasheet STB200N4F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 40 В 120 А D2PAK — Даташит

Купить STB200N4F3 на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 1 186 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Кремний Россия и страны СНГ	STB200N4F3	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STB200N4F3 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STB200N4F3 STMicroelectronics	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB200N4F3 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 40 В 120 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP200N4F3 STB200N4F3
N-channel 40 V, 0.0025 120 A, D2PAK, TO-220 , planar STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STB200N4F3 STP200N4F3 VDSS RDS(on) max 40 V 40 V <0.0031 <0.0035 ID Pw
120 A 300 W 120 A 300 W

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On State Resistance: 2.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 120 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть