Datasheet STB200NF03T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 30 В 120 А D2PAK — Даташит

Купить STB200NF03T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 341 ₽ 29 предложений от 19 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STB200NF03T4 MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 30V, 3.2mohm, 10V, 4V
ЭИК Россия	STB200NF03T4 STMicroelectronics	от 287 ₽	Купить
727GS Весь мир	STB200NF03T4 STMicroelectronics	341 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	STB200NF03T4-ST STMicroelectronics	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	STB200NF03T4ST STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 30 В 120 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP200NF03 STB200NF03 - STB200NF03-1
N-channel 30V - 0.0032 - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFETTM III Power MOSFET
General features
Type STP200NF03 STB200NF03 STB200NF03-1 VDSS 30V 30V 30V RDS(on) <0.0037 <0.0037 <0.0037 ID 120A(1) 120A(1) 120A(1) TO-220
1 2 3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 60 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 3.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 120 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть